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| Número de pieza | TK100L60W,VQ |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 5mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | Super Junction |
| Disipación de potencia (Máx) | 797W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 50A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-3P(L) |
| Paquete / caja | TO-3PL |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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TK1005800000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 10P SIDE ENTRY 5MM PCB | - | 56487 | Detalles |
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TK100E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 | - | 186 | Detalles |
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TK100E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 100A TO220 | - | 2082 | Detalles |
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TK10A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS | - | 0 | Detalles |