GT50J121(Q)

IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
GT50J121(Q) P1
GT50J121(Q) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ GT50J121(Q)

Número de pieza
GT50J121(Q)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Simple
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Número de pieza GT50J121(Q)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de IGBT -
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Corriente - colector pulsado (Icm) 100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Potencia - Max 240W
Conmutación de energía 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta -
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 90ns/300ns
Condición de prueba 300V, 50A, 13 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-3PL
Paquete de dispositivo del proveedor TO-3P(LH)

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