BZT52C6V8-G RHG

DIODE ZENER 6.8V 350MW SOD123
BZT52C6V8-G RHG P1
BZT52C6V8-G RHG P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ BZT52C6V8-G RHG

Número de pieza
BZT52C6V8-G RHG
Fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción
DIODE ZENER 6.8V 350MW SOD123
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- BZT52C6V8-G RHG PDF online browsing
Familia
Diodo - Zener - Simple
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Número de pieza BZT52C6V8-G RHG
Estado de la pieza Active
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) 6.8V
Tolerancia ±5%
Potencia - Max 350mW
Impedancia (Máx.) (Zzt) 15 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr 2µA @ 4V
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 900mV @ 10mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOD-123
Paquete de dispositivo del proveedor SOD-123

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