RRL025P03TR

MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
RRL025P03TR P1
RRL025P03TR P2
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Rohm Semiconductor ~ RRL025P03TR

Número de pieza
RRL025P03TR
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
RRL025P03TR.pdf RRL025P03TR PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza RRL025P03TR
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.5A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 2.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TUMT6
Paquete / caja 6-SMD, Flat Leads

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