QS6M3TR

MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
QS6M3TR P1
QS6M3TR P2
QS6M3TR P1
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Rohm Semiconductor ~ QS6M3TR

Número de pieza
QS6M3TR
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza QS6M3TR
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V, 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V
Potencia - Max 1.25W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor TSMT6 (SC-95)

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