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| Número de pieza | HP8K22TB |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | - |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 27A, 57A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 15V |
| Potencia - Max | 25W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-HSOP |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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HP8060-9RG | Bel Power Solutions | POWER SUPPLYHP8060-9RGDC-DCIN 16 | - | 0 | Detalles |
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HP8K22TB | Rohm Semiconductor | 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET | - | 2500 | Detalles |
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HP8KA1TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8 | 0 | Detalles | |
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HP8S36TB | Rohm Semiconductor | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, | - | 0 | Detalles |