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| Número de pieza | NBRB8H100T4G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 8A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 710mV @ 8A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 4.5µA @ 100V |
| Capacitancia @ Vr, F | 600pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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NBRB8H100T4G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY AUTO 8A 100V | - | 100473 | Detalles |