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Número de pieza | APTM50HM75SCTG |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 46A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 123nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5590pF @ 25V |
Potencia - Max | 357W |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / caja | SP4 |
Paquete de dispositivo del proveedor | SP4 |