NAND02GR3B2DN6E

IC FLASH 2GBIT 48TSOP
NAND02GR3B2DN6E P1
NAND02GR3B2DN6E P1
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Micron Technology Inc. ~ NAND02GR3B2DN6E

Número de pieza
NAND02GR3B2DN6E
Fabricante
Micron Technology Inc.
Descripción
IC FLASH 2GBIT 48TSOP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- NAND02GR3B2DN6E PDF online browsing
Familia
Memoria
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Número de pieza NAND02GR3B2DN6E
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND
Tamaño de la memoria 2Gb (256M x 8)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 45ns
Tiempo de acceso 45ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.7 V ~ 1.95 V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 48-TSOP

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