VMM650-01F

MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
VMM650-01F P1
VMM650-01F P1
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IXYS ~ VMM650-01F

Número de pieza
VMM650-01F
Fabricante
IXYS
Descripción
MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza VMM650-01F
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 680A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 mOhm @ 500A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 30mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 1440nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Potencia - Max -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Y3-Li
Paquete de dispositivo del proveedor Y3-Li

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