GE28F320C3BC90

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
GE28F320C3BC90 P1
GE28F320C3BC90 P1
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ~ GE28F320C3BC90

Número de pieza
GE28F320C3BC90
Fabricante
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Memoria
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