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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SIHB33N60ET1-GE3 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 16.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3508pF @ 100V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 278W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-263 (D²Pak) |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |