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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPC8223-H,LQ(S

Artikelnummer	TPC8223-H,LQ(S
Teilstatus	Active
FET Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft	Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	9A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1190pF @ 10V
Leistung max	450mW
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket	8-SOP

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Aussicht
TPC8207(TE12L)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP		Einzelheiten
TPC8207(TE12L,Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP		Einzelheiten
TPC8208(TE12L,Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP		Einzelheiten
TPC8208(TE12L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8		Einzelheiten
TPC8211(TE12L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8		Einzelheiten
TPC8212-H(TE12LQ,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8		Einzelheiten
TPC8213-H(TE12LQ,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8		Einzelheiten
TPC8221-H,LQ(S	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP		Einzelheiten
TPC8223-H,LQ(S	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP	-	Einzelheiten