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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TK8A65D(STA4,Q,M) |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 45W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 840 mOhm @ 4A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220SIS |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TK8A65D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS | - | 23 | Einzelheiten |
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TK8A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS | - | 174 | Einzelheiten |