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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SSM6N42FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 800mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 10V |
| Leistung max | 150mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | ES6 (1.6x1.6) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SSM6N42FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SSM6N43FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6 | - | 3000 | Einzelheiten |
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SSM6N44FE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 | - | 8000 | Einzelheiten |
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SSM6N48FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 PB-F SOT-363 S-MOS LF TRAN | - | 823252 | Einzelheiten |
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SSM6N48FU,RF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C | - | 0 | Einzelheiten |
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SSM6N48FU,RF(D | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A | - | 0 | Einzelheiten |