SSM6J801R,LF

SMALL-SIGNAL PCH MOSFET UMOSVI
SSM6J801R,LF P1
SSM6J801R,LF P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6J801R,LF

Artikelnummer
SSM6J801R,LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
SMALL-SIGNAL PCH MOSFET UMOSVI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- SSM6J801R,LF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer SSM6J801R,LF
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 10V
Vgs (Max) +6V, -8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 32.5 mOhm @ 3A, 4.5V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket -
Paket / Fall -

Verwandte Produkte

Alle Produkte