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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SSM6J216FE,LF |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.8A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 12V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 700mW (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | ES6 |
Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |