HN3C51F-GR(TE85L,F

TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
HN3C51F-GR(TE85L,F P1
HN3C51F-GR(TE85L,F P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ HN3C51F-GR(TE85L,F

Artikelnummer
HN3C51F-GR(TE85L,F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
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Artikelnummer HN3C51F-GR(TE85L,F
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ 2 NPN (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 120V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Leistung max 300mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-74, SOT-457
Lieferantengerätepaket SM6

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