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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | GT50J121(Q) |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 50A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 100A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 50A |
| Leistung max | 240W |
| Energie wechseln | 1.3mJ (on), 1.34mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 90ns/300ns |
| Testbedingung | 300V, 50A, 13 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3PL |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P(LH) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GT502F1K | US Sensor | NTC THERMISTOR 5K OHM 10% BEAD | - | 0 | Einzelheiten |
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GT503J1K | US Sensor | NTC THERMISTOR 50K OHM 10% BEAD | - | 0 | Einzelheiten |
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GT50J121(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | IGBT 600V 50A 240W TO3P LH | 0 | Einzelheiten |