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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | TPS1120DR |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 15V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.17A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 840mW |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |