NSVMMBT6517LT1G

TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
NSVMMBT6517LT1G P1
NSVMMBT6517LT1G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NSVMMBT6517LT1G

Artikelnummer
NSVMMBT6517LT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer NSVMMBT6517LT1G
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 350V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 50mA, 10V
Leistung max 225mW
Frequenz - Übergang 200MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)

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