BDV65B

TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218
BDV65B P1
BDV65B P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ BDV65B

Artikelnummer
BDV65B
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer BDV65B
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 10A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 20mA, 5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A, 4V
Leistung max 125W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-218-3
Lieferantengerätepaket SOT-93

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