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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | PSMN1R6-30MLHX |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 160A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2.369nF @ 15V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 106W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | LFPAK33 |
Paket / Fall | SOT-1210, 8-LFPAK33 |