APTM50DHM65TG

MOSFET 2N-CH 500V 51A SP4
APTM50DHM65TG P1
APTM50DHM65TG P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTM50DHM65TG

Artikelnummer
APTM50DHM65TG
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
APTM50DHM65TG.pdf APTM50DHM65TG PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer APTM50DHM65TG
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 51A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 78 mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 25V
Leistung max 390W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP4
Lieferantengerätepaket SP4

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