APTGT50TDU170PG

IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P
APTGT50TDU170PG P1
APTGT50TDU170PG P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGT50TDU170PG

Artikelnummer
APTGT50TDU170PG
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Produktparameter

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Artikelnummer APTGT50TDU170PG
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Triple, Dual - Common Source
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 70A
Leistung max 310W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP6
Lieferantengerätepaket SP6-P

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