EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR P1
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Micron Technology Inc. ~ EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

Artikelnummer
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR
Hersteller
Micron Technology Inc.
Beschreibung
IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße 4Gb (64M x 64)
Taktfrequenz 533MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -

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