FGA25N120FTD

IGBT 1200V 50A 313W TO3P
FGA25N120FTD P1
FGA25N120FTD P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FGA25N120FTD

Artikelnummer
FGA25N120FTD
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1200V 50A 313W TO3P
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer FGA25N120FTD
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 75A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 25A
Leistung max 313W
Energie wechseln 340µJ (on), 900µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 160nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 48ns/210ns
Testbedingung 600V, 25A, 15 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 770ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Lieferantengerätepaket TO-3PN

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