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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | LND150N3-G |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 30mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | Depletion Mode |
Verlustleistung (Max) | 740mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1000 Ohm @ 500µA, 0V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |